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调控参考文献：[1]HyunKum,etal.,NatureElectronics,2019,2,439–450.[2]J.Narayan,ActaMater.2013,61,2703–2724.[3]J.Narayan,J.Appl.Phys.2003,93,278–285.[4]H.Amano,Appl.Phys.Lett.1986,48,353–355.[5]A.Koma,J.Vac.Sci.Technol.B1985,3,724.[6]A.Koma,J.Cryst.Growth1999,201,236–241.[7]Q.Paduano,J.Mater.Res.2016,31,2204–2213.[8]K.Linthicum,et al.,Appl.Phys.Lett.1999,75,196–198.[9]C.Gerhard,Appl.Sci.2018,8,1556.[10]D.Shahrjerdi,NanoLett.2013,13,315–320.[11]C.A.Sweet,et al.,Appl.Phys.Lett.2016,108,011906.[12] S.W.Bedell,etal.,J.Appl.Phys.2017,122,025103.[13]C.-W.Cheng,et al.,Nat.Commun.2013,4,1577.[14] Y.Kim,et al.,Nature2017,544,340–343.[15] S.W.Bedell,et al.,J.Phys.D.2013,46,152002.[16] J.Chun,J.et al.,ScriptaMater.2014,77,13–16.[17] V.Deshpande,et al.,SolidStateElectron.2017,128,87–91.[18]V.Deshpande,et al.,Tech.Dig.Int.ElectronDevicesMeet.2015,8.8.1–8.8.4.[19] S.R.Bakaul,et al.,Nat.Commun.2016,7,10547.[20]R.H.Kim,et al.Nat.Mater.2010,9,929–937.[21] K.Lee,etal.,LightSci.Appl.2015,4,e288.[22] M.M.Shulaker,et al.,Nature2017,547,74–78.本文由Nano-optic供稿。前者利用二维材料衬底的光滑表面，中心可以帮助在将位错引入晶体之前放松薄膜，而后者可以在其三维结构中实现位错的geometricalfiltering。

然后，结构概述高级异质外延技术，用于高质量器件制备，以降低缺陷密度的栅格不匹配的衬底，以及用于高度栅格不匹配体系的ELO技术。例如，性问消纳行III-V和硅基III-N复合半导体的单片集成是电子和光子领域的研究热点，它可以弥补硅基集成电路载流子迁移率低和发光效率低的缺点。例如，题制低温的grownbuffer抑制了岛状的Volmer-Weber生长，同时在生长的早期阶段促进了弛豫和逐层生长，这有利于在高温下高质量的目标外延层的后续生长。

由定义可知，约新异质外延层与基体的材料性质不同，其中晶格常数与热膨胀系数的失配是应变的主要来源，与缺陷相关的应变也是应变的主要来源。弹性应变的假纯异质结构(图2b)可以维持一定的厚度，和电称为临界厚度(hc)，这是由界面面积和晶格失配量决定的。

网运使用这些方法提高材料质量所带来的好处并不足以证明在工业规模上实施这些方法所需要的额外时间和成本是合理的。

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